Yleistä Laitteen tyyppi Puolijohdeasema - sisäinen Muistin koko 1 Tt NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC) Koko tai muoto M.2 2280 Liitäntä PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Ominaisuudet Sisäinen jäähdytyslevy, 3D NAND Technology, SLC cache, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, HMB (Host Memory Buffer) supported Leveys 22 mm Syvyys 80 mm Korkeus 3.7 mm Paino 11.2 g Suorituskyky Puolijohdeaseman kestokyky 600 TB Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2100 MBps (luku) / 1400 MBps (kirjoitus) Maximum 4KB Random Write 240000 IOPS 4KB enimmäissatunnaistoisto 250000 IOPS Luotettavuus Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,000,000 tuntia Laajennus & Liitäntä Liitännät 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Yhteensopiva paikka M.2 2280 Virransyöttö Virrankulutus 0.33 watt (aktiivinen) 0.14 watt (joutokäynnillä) Muuta Yhteensopivuusstandardit VCCI, BSMI, FCC, RoHS, KC Valmistajan takuu Huolto ja tuki Rajoitettu takuu - 5 vuotta Ympäristötiedot Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C Enimmäiskäyttölämpötila 70 °C Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C Iskunkestävyys (käytettäessä) 1500 g @ 0,5 ms