Yleistä Laitteen tyyppi Puolijohdeasema - sisäinen Muistin koko 3200 GB NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC) Koko tai muoto 2.5" Liitäntä U.2 PCIe 3.1 x4 (NVMe) Ominaisuudet Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, High-Performance Computing (HPC), Instant Secure Erase (ISE), Enterprise, käytettävissä 24/7, Mixed-Workload Endurance, Online Analytical Processing (OLAP), virtual drive function, 96-kerroksinen 3D-NAND-teknologia, NVM Express (NVMe) 1.3c, artificial intellegence (AI), machine learning (ML), pattern recognition function Leveys 69.85 mm Syvyys 100.45 mm Korkeus 15 mm Suorituskyky Drive Writes Per Day (DWPD) 3 Puolijohdeaseman kestokyky 17.52 PB Sisäinen tiedonsiirtonopeus 3311 MBps (luku) / 3184 MBps (kirjoitus) Maximum 4KB Random Write 257000 IOPS 4KB enimmäissatunnaistoisto 780000 IOPS Keskimääräinen saantiviive 141 μs Luotettavuus Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia 24x7 käyttö Kyllä Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17 Laajennus & Liitäntä Liitännät 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Yhteensopiva paikka 2.5" Virransyöttö Virrankulutus 18 watt (keskimäärä) 6 watt (joutokäynnillä) Valmistajan takuu Huolto ja tuki Rajoitettu takuu - 5 vuotta Ympäristötiedot Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C Enimmäiskäyttölämpötila 70 °C Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C